Growth temperature dependent strain in relaxed Ge microcrystals

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Pnutí v relaxovaných Ge microcrystalech závislé na teplotě růstu
Autoři

MEDUŇA Mojmír FALUB Claudiu Valentin ISA Fabio VON KÄNEL Hans

Rok publikování 2018
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Thin Solid Films
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2018.08.033
Klíčová slova Patterned substrates; Silicon substrates; Germanium; Nanocrystals; X-ray diffraction; Crystal Defects; Low energy plasma enhanced chemical vapor deposition
Popis Použitím rtg difrakce s vysokým rozlišením při mapování reciprokého prostoru získáváma mřížkové parametry, pnutí a stupeň relaxace pro různé teploty růstu mikrokrystalů.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info