Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Vznik laterální modulace chemického složení v epitaxních vrstvách InGaP rostlých na (001) GaAs
Autoři	SCHMIDBAUER Martin UGUR Asli WOLLSTEIN C. HATAMI Fariba KATMIS Ferhat CAHA Ondřej MASSELINK W. T.
Rok publikování	2012
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of Applied Physics
Fakulta / Pracoviště MU	Středoevropský technologický institut
Citace
www	http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no
Doi	https://doi.org/10.1063/1.3677995
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	LAYERS; ENHANCEMENT; GAINP; DOTS
Popis	Nukleace jednorozměrné periodické struktury v GaInP vrstvách byla studována pomocí grazing=incidence rtg difrakce.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů