Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Studium oxidových precipitátů v křemíku pomocí rtg difrakce
Autoři	CAHA Ondřej BERNATOVÁ Silvie MEDUŇA Mojmír SVOBODA Milan BURŠÍK Jiří
Rok publikování	2011
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	physica status solidi (a), Applied research
Fakulta / Pracoviště MU	Středoevropský technologický institut
Citace
Doi	https://doi.org/10.1002/pssa.201184263
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	CZOCHRALSKI-GROWN SILICON; DIFFUSE-SCATTERING; DEFECTS
Popis	Publikovány jsou výsledky studia oxidových precipitátů s použitím dvou metod rtg difrakce. Byl měřen difúzní rozptyl kolem Braggových difrakčních maxim série vzorků připravených různým dvoustupňovým žíháním. Bylo určeno deformační pole kolem precipitátů. Dále byla použita dynamická difrakce v Laueho uspořádání pro měření koncentrace defektů. Výsledky byly porovnány s měřením leptových důlků.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů CEITEC - středoevropský technologický institut