3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	3D heteroepitaxe nepřízpůsobených polovodičů na křemíku
Autoři	FALUB Claudiu Valentin KREILIGER Thomas ISA Fabio TABOADA Alfonso MEDUŇA Mojmír PEZZOLI Fabio BERGAMASCHINI Roberto MARZEGALLI Anna MÜLLER Elisabeth CHRASTINA Daniel ISELLA Giovanni NEELS Antonia NIEDERMANN Philippe DOMMANN Alex MIGLIO Leo VON KÄNEL Hans
Rok publikování	2014
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Thin Solid Films
Fakulta / Pracoviště MU	Středoevropský technologický institut
Citace
www	http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013017057
Doi	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.094
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Monolithic integration; Epitaxial growth; Ge; GaAs; Patterned Si substrates; Scanning X-ray nano-diffraction; Room-temperature photoluminescence; X-ray detectors
Popis	Prezentujeme metodu pro monolitickou integraci nepřizpůsoobených polovodičových materiálů s Si, s šD epitaxí.
Související projekty:	CEITEC - středoevropský technologický institut NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery