PECVD of nanostructured SiO2 in a modulated microwave plasma jet at atmospheric pressure

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	HNILICA Jaroslav SCHÄFER Jan FOEST Rüdiger ZAJÍČKOVÁ Lenka KUDRLE Vít
Rok publikování	2013
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	J. Phys. D: Appl. Phys.
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	http://iopscience.iop.org/0022-3727/46/33/335202/
Doi	https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/33/335202
Obor	Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova	PECVD; modulated; microwave; plasma jet; atmospheric pressure
Přiložené soubory	ZVV_2013_1118531_PECVD.pdf
Popis	We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a microwave plasma jet operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).
Související projekty:	CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy CEITEC - středoevropský technologický institut Samoorganizace a procesy strukturalizace v plazmochemické depozici tenkých vrstev