Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Hustota Mn intersticiálů v GaMnAs určená anomální rtg difrakcí
Autoři	HOLÝ Václav MARTÍ Xavier HORÁK Lukáš CAHA Ondřej NOVÁK Vít CUKR Miroslav SCHÜLLI Tobias Urs
Rok publikování	2010
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Applied Physics Letters
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	https://doi.org/10.1063/1.3514240
Doi	https://doi.org/10.1063/1.3514240
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	ferromagnetic semiconductos; anomal x-ray diffraction
Popis	Hustota intersticiálů Mn v GaMnAs byla určena anomální rtg difrakcí, t.j. měřením závislosti intenzity slabé difrakce 002 na energii fotonu kolem K absorpční hrany Mn.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích