Quantum entanglement in lateral GaAs/AlGaAs quantum dot molecules

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	KŘÁPEK Vlastimil KLENOVSKÝ Petr RASTELLI Armando SCHMIDT Oliver G MUNZAR Dominik
Rok publikování	2010
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of Physics: Conference Series
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	http://iopscience.iop.org/1742-6596/245/1/012027
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Excitons and related phenomena; Tunneling; Quantum dots; Semiconductor compounds
Popis	We calculate the excitonic structure of pairs of GaAs/AlGaAs quantum dots forming lateral molecules and obtain the entanglement of exciton states. The following advantages of the lateral geometry over the vertical one are found: (1) The energy structures of the dots forming a molecule can be in principle identical. (2) Comparable tunneling of electrons and holes ensures a high entanglement of antisymmetric excitons. A drawback of existing structures are very low tunneling energies, which make the entanglement vulnerable against differences in the sizes and shapes of both dots.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů