Microwave PECVD of nanocrystalline diamond with rf induced bias nucleation
| Název česky | Depozice nanokystalickéhi diamantu metodou mikrovlnného PECVD s nukleací pomocí rf predpětí |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2006 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Czechoslovak Journal of Physics B |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika plazmatu a výboje v plynech |
| Klíčová slova | nanocrystalline diamond; plasma enhanced chemical vapor deposition; self-bias |
| Popis | Vrtsvy nanokrystalického diamantu byly připraveny metodou mikrovlnného CVD v reaktoru typu ASTEX na leštěných n-typ dopovaných křemíkových substrátech s orientací (111). Depoziční směs obsahovala 9% metanu ve vodíku. Dodávaný mikrovlnný výkon (2,45 GHz) byl 850 W a tlak byl 7,5 kPa. Teplota substrátu byla 1090 K. Nukleační proces probíhal za pomocí předpětí(-125 V) vytvářeného pomocí vysokofrekvenčního výboje. Deponované vrstvy se jevily jako velmi hladké ( rms tloušťky 9,1 nm). Tvrdost a elastický modul byly 70 a 375 GPa. Optické konstanty byly určeny kombinací spektroskopické elipsometrie a refletometrie za použití Rayleigh-Riceovi teorie pro drsnost a disperzního modelu pro optické konstanty založeného na parametrizaci hustot stavů. Depoziční rychlost byla 57 nm/min včetně 5 minutové nukleační fáze. |
| Související projekty: |