GID study of strains in Si due to patterned SiO2

• Autoři: DANIEL A.; HOLÝ Václav; BAUER G.
• Rok publikování: 2001
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: J. Phys.D.: Appl. Phys.
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Popis: GID study of strains in Si due to patterned SiO2

Související projekty

• Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek