Origin of the metastability of phosphorus or boron doped a-Si:H films

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Pedagogickou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	SŤAHEL Pavel SLÁDEK Petr ROCA I CABARROCAS Pere ŠŤASTNÝ Jiří
Rok publikování	2000
Druh	Článek ve sborníku
Konference	Electronic Devices and Systems Y2K - Proceedings
Fakulta / Pracoviště MU	Pedagogická fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	amorphous silicon; doping; metastability
Popis	The effects of light-soaking on either phosphorus- or boron-doped a-Si:H films were studied as functions of the doping level and the temperature. The phosphorus-doped films present a remarkable stability although lightly phosphorus-doped ones show a decrease of their conductivity by five orders of magnitude when light-soaking is performed below 40 C. This effect is attributed to the formation of P-H complexes which are stable at low temperature only. Our results suggest that in both types of doped a-Si:H films the interaction of dopants with hydrogen plays an important role.
Související projekty:	Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek