Characterisation of Silicon Oxide Thin Films Deposited by Plasma Enhanced CVD from Octamethylcyclotetrasiloxane/Oxygen Feeds

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Charakterizace tenkých vrstev oxidu křemíku připravených metodou PECVD z oktametylcyklotetrasiloxanu ve směsi s kyslíkem
Autoři	ZAJÍČKOVÁ Lenka JANČA Jan PERINA Vratislav
Rok publikování	1999
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Thin Solid Films
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova	PECVD; OMTS
Popis	Characterisation of Silicon Oxide Thin Films Deposited by Plasma Enhanced CVD from Octamethylcyclotetrasiloxane/Oxygen Feeds
Související projekty:	Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek