Strain relaxation and misfit dislocations in compositionally graded Si 1-x Ge x layers on Si (001)

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	LI J.H. HOLÝ Václav
Rok publikování	1995
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of Crystal Growth
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Související projekty:	Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur